RN1909FE(TE85L,F)
RN1909FE(TE85L,F)
Onderdeel nummer:
RN1909FE(TE85L,F)
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschrijving:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
25728 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
RN1909FE(TE85L,F).pdf

Invoering

RN1909FE(TE85L,F) is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor RN1909FE(TE85L,F), we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor RN1909FE(TE85L,F) per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop RN1909FE(TE85L,F) met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leverancier Device Pakket:ES6
Serie:-
Weerstand - emitterbasis (R2):22 kOhms
Weerstand - basis (R1):47 kOhms
Vermogen - Max:100mW
Packaging:Cut Tape (CT)
Verpakking / doos:SOT-563, SOT-666
Andere namen:RN1909FE(TE85LF)CT
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Frequentie - Transition:250MHz
gedetailleerde beschrijving:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments