RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T)
Onderdeel nummer:
RN1910FE(T5L,F,T)
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschrijving:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Loodvrije status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraadhoeveelheid:
30592 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days
Doorlooptijd:
4-8 weeks
Data papier:
RN1910FE(T5L,F,T).pdf

Invoering

RN1910FE(T5L,F,T) is nu beschikbaar!LYNTEAM-technologie is de stockingverdeler voor RN1910FE(T5L,F,T), we hebben de voorraden voor onmiddellijke verzending en ook beschikbaar voor lange tijd.Stuur ons uw aankoopplan voor RN1910FE(T5L,F,T) per e-mail, wij geven u een beste prijs volgens uw plan.
Koop RN1910FE(T5L,F,T) met LYNTEAM, bespaar uw geld en tijd.
Onze e-mail: [email protected]

bestek

Staat New & Original, tested
Land van herkomst Contact us
Markeringscode Send by email
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leverancier Device Pakket:ES6
Serie:-
Weerstand - emitterbasis (R2):-
Weerstand - basis (R1):4.7 kOhms
Vermogen - Max:100mW
Packaging:Cut Tape (CT)
Verpakking / doos:SOT-563, SOT-666
Andere namen:RN1910FE(T5LFT)CT
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Frequentie - Transition:250MHz
gedetailleerde beschrijving:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments