SI8806DB-T2-E1現在可以使用！LYNTEAM技術是SI8806DB-T2-E1的庫存分配器，我們擁有立即運輸的庫存，也可用於很長的時間。請通過電子郵件向我們發送您的SI8806DB-T2-E1購買計劃，我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
用LYNTEAM購買SI8806DB-T2-E1，省錢和時間。
我們的電子郵件：[email protected]
SI8806DB-T2-E1
- 型號:
- SI8806DB-T2-E1
- 描述:
- MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
- 無鉛狀態:
- 無鉛/符合RoHS
- 庫存數量:
- 39778 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 交貨時間:
- 4-8 weeks
簡單介紹
產品特性
| 狀況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原產地 | Contact us |
| 標記代碼 | Send by email |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 1V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±8V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | 4-Microfoot |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 43 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 功率耗散（最大）: | 500mW (Ta) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | 4-XFBGA |
| 其他名稱: | SI8806DB-T2-E1TR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 17nC @ 8V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 1.8V, 4.5V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 12V |
| 詳細說明: | N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | - |
| Email: | [email protected] |
SI8806DB-T2-E1的相似型號
最新資訊
- 德州仪器业绩仍待提振、两存储大厂推新闪存产品
- 本土成熟制程芯片放量、三星NAND闪存产能近满载
- Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED
- 安森美推出适用于工业和交通市场的电感式位置传感器
- 瑞萨启动旧厂增产功率器件、地震影响DRAM产出轻微
- Microchip启用台积电熊本厂产能、美光产品传涨价
- 瑞萨推出全新RA0系列超低功耗入门级MCU
- Melexis推出全集成电感式开关芯片
- X-FAB引入图像传感器背照技术增强CMOS传感器性能
- 芯片大厂受地震影响传回：台积电紧急停工，加剧GPU供不应求？
- NAND闪存涨势延续、MCU去库存落底在即
- AI风口下，两大芯片巨头“不给力”：砸钱破局，押注2025团战