SI8806DB-T2-E1
SI8806DB-T2-E1
Modelo do Produto:
SI8806DB-T2-E1
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
39778 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI8806DB-T2-E1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-Microfoot
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:43 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-XFBGA
Outros nomes:SI8806DB-T2-E1TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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