SI8806DB-T2-E1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل SI8806DB-T2-E1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل SI8806DB-T2-E1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء SI8806DB-T2-E1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
SI8806DB-T2-E1
- رقم القطعة:
- SI8806DB-T2-E1
- الصانع:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- وصف:
- MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39778 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- SI8806DB-T2-E1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-Microfoot |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 43 mOhm @ 1A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 4-XFBGA |
| اسماء اخرى: | SI8806DB-T2-E1TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 8V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 12V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI8806DB-T2-E1
Latest الأخبار
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS
- تأثر مصنع الرقائق الكبير بالزلزال: توقف TSMC عن العمل بشكل عاجل ، مما أدى إلى تفاقم إمدادات وحدة معالجة الرسومات في نقص العرض؟
- تستمر ذاكرة NAND Flash ، MCU Derocking Bottom على حق