SI4505DY-T1-GE3
型號:
SI4505DY-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
29353 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI4505DY-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:1.8V @ 250µA
供應商設備封裝:8-SO
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:18 mOhm @ 7.8A, 10V
功率 - 最大:1.2W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:21 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 5V
FET型:N and P-Channel
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):30V, 8V
詳細說明:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
電流 - 25°C連續排水(Id):6A, 3.8A
Email:[email protected]

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