SI4505DY-T1-GE3 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro SI4505DY-T1-GE3, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro SI4505DY-T1-GE3 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si SI4505DY-T1-GE3 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
SI4505DY-T1-GE3
- Part Number:
- SI4505DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Popis:
- MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 29353 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- SI4505DY-T1-GE3.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Vgs (th) (max) 'Id: | 1.8V @ 250µA |
| Dodavatel zařízení Package: | 8-SO |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS On (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Power - Max: | 1.2W |
| Obal: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / krabice: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Provozní teplota: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ montáže: | Surface Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 21 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET Feature: | Logic Level Gate |
| Drain na zdroj napětí (Vdss): | 30V, 8V |
| Detailní popis: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO |
| Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C: | 6A, 3.8A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro SI4505DY-T1-GE3
Latest News
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače
- X-Fab zavádí technologii osvětlení zpětného osvětlení obrázků pro zvýšení výkonu senzoru CMOS
- Velká továrna na čipy byla ovlivněna zemětřesením: TSMC přestala naléhavě fungovat a zhoršovala zásobování GPU v nedostatku?