SI4505DY-T1-GE3 ist jetzt verfügbar!Die LYNTEAM-Technologie ist der Bestandsverteiler für SI4505DY-T1-GE3, wir haben die Aktien für den sofortigen Versand und auch für lange Zeit verfügbar.Bitte senden Sie uns Ihren Kaufplan für SI4505DY-T1-GE3 per E-Mail, wir geben Ihnen einen besten Preis nach Ihrem Plan.
Kaufen Sie SI4505DY-T1-GE3 mit LYNTEAM, sparen Sie Ihr Geld und Ihre Zeit.
Unsere E-Mail: [email protected]
SI4505DY-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI4505DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 29353 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI4505DY-T1-GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.8V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18 mOhm @ 7.8A, 10V |
| Leistung - max: | 1.2W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 21 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V, 8V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 30V, 8V 6A, 3.8A 1.2W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6A, 3.8A |
| Email: | [email protected] |
In Verbindung stehende Teile für SI4505DY-T1-GE3
läst Nachrichten
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Der Finanzbericht des ersten Quartals des SEF Semiconductor (ST) nimmt ab, und die Nachfrage nach Automobilen hat sich verlangsamt
- Die Leistung von Texas Instruments muss noch gesteigert werden, und die beiden Speicherfabriken schieben neue Flash -Speicherprodukte
- Lokales reife Chipvolumen, Samsung Nand Flash -Speicherproduktionskapazität in der Nähe von Last
- Vishay startet eine minilierte Verpackung hoher Helligkeit kleiner blau und rein grün
- Ansonmei startete einen induktiven Positionssensor für den Industrie- und Transportmarkt
- Ruisa beginnt die alte Fabrik, um das Stromgerät zu erhöhen. Das Erdbeben beeinflusst die Dram -Output mild
- Mikrochip ermöglicht die Produktionskapazität von TSMC und erhöht die Preiserhöhungen
- Ruisa hat die neue Ra0 -Serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU gestartet
- MELEXIS startet einen integrierten Induktorschalter -Chip
- X-FAB führt die Back-Illumination-Technologie für Bildsensor ein, um die CMOS-Sensorleistung zu verbessern
- Die große Chip -Fabrik wurde vom Erdbeben betroffen: TSMC hat dringend aufgehört zu arbeiten und die GPU -Versorgung kurzerhalt zu verschärfen?