SI4214DDY-T1-GE3
型號:
SI4214DDY-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
37937 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI4214DDY-T1-GE3.pdf

簡單介紹

SI4214DDY-T1-GE3現在可以使用!LYNTEAM技術是SI4214DDY-T1-GE3的庫存分配器,我們擁有立即運輸的庫存,也可用於很長的時間。請通過電子郵件向我們發送您的SI4214DDY-T1-GE3購買計劃,我們將根據您的計劃為您提供最優惠的價格。
用LYNTEAM購買SI4214DDY-T1-GE3,省錢和時間。
我們的電子郵件:[email protected]

產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:2.5V @ 250µA
供應商設備封裝:8-SO
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:19.5 mOhm @ 8A, 10V
功率 - 最大:3.1W
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名稱:SI4214DDY-T1-GE3-ND
SI4214DDY-T1-GE3TR
SI4214DDYT1GE3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:660pF @ 15V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:22nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss):30V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
電流 - 25°C連續排水(Id):8.5A
Email:[email protected]

快速詢價

型號
數量
公司
邮箱
電話
要求