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SI4214DDY-T1-GE3
- 部品型番:
- SI4214DDY-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 37937 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI4214DDY-T1-GE3.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 19.5 mOhm @ 8A, 10V |
| 電力 - 最大: | 3.1W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前: | SI4214DDY-T1-GE3-ND SI4214DDY-T1-GE3TR SI4214DDYT1GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 660pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 22nC @ 10V |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 8.5A |
| Email: | [email protected] |
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