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SI4214DDY-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI4214DDY-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 37937 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- SI4214DDY-T1-GE3.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Leistung - max: | 3.1W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | SI4214DDY-T1-GE3-ND SI4214DDY-T1-GE3TR SI4214DDYT1GE3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 660pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 8.5A |
| Email: | [email protected] |
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