SI1013X-T1-GE3
SI1013X-T1-GE3
型號:
SI1013X-T1-GE3
製造商:
Electro-Films (EFI) / Vishay
描述:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
20435 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
SI1013X-T1-GE3.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
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VGS(TH)(最大)@標識:450mV @ 250µA (Min)
Vgs(最大):±6V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:SC-89-3
系列:TrenchFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
功率耗散(最大):250mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SC-89, SOT-490
其他名稱:SI1013X-T1-GE3TR
SI1013XT1GE3
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:33 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:1.5nC @ 4.5V
FET型:P-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):1.8V, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
詳細說明:P-Channel 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
電流 - 25°C連續排水(Id):350mA (Ta)
Email:[email protected]

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