SI1013X-T1-GE3 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SI1013X-T1-GE3, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SI1013X-T1-GE3 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SI1013X-T1-GE3 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
SI1013X-T1-GE3
- Тип продуктов:
- SI1013X-T1-GE3
- производитель:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Описание:
- MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 20435 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- SI1013X-T1-GE3.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
| Vgs (макс.): | ±6V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SC-89-3 |
| Серии: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 250mW (Ta) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SC-89, SOT-490 |
| Другие названия: | SI1013X-T1-GE3TR SI1013XT1GE3 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 33 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 1.5nC @ 4.5V |
| Тип FET: | P-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | P-Channel 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 350mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SI1013X-T1-GE3
Latest Новости
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора
- X-FAB вводит технологию освещения датчика изображения для повышения производительности датчика CMOS
- Землетрясение повлияло на крупную фишковую фабрику: TSMC перестал работать срочно, усугубляя поставку графического процессора в дефиците?
- Nand Flash Memory продолжается, MCU Destocking Bottom - это правильно
- Под выходом AI AIR два основных чип -гиганта «не сильны»: разбивая деньги, чтобы сломать игру, ставки на командные битвы 2025