SI1013X-T1-GE3
SI1013X-T1-GE3
部品型番:
SI1013X-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
20435 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
SI1013X-T1-GE3.pdf

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):450mV @ 250µA (Min)
Vgs(最大):±6V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SC-89-3
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
電力消費(最大):250mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-89, SOT-490
他の名前:SI1013X-T1-GE3TR
SI1013XT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:33 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:1.5nC @ 4.5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):1.8V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:P-Channel 20V 350mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):350mA (Ta)
Email:[email protected]

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