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狀況 | New & Original, tested |
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原產地 | Contact us |
標記代碼 | Send by email |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4.9V @ 150µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DIRECTFET™ MN |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 9.5 mOhm @ 12A, 10V |
功率耗散(最大): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric MN |
其他名稱: | IRF6646TR1CT |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 2 (1 Year) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS non-compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2060pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 50nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
詳細說明: | N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 12A (Ta), 68A (Tc) |
Email: | [email protected] |