IRF6655TR1PBF
IRF6655TR1PBF
型號:
IRF6655TR1PBF
製造商:
International Rectifier (Infineon Technologies)
描述:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
42153 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
IRF6655TR1PBF.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
VGS(TH)(最大)@標識:4.8V @ 25µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:DIRECTFET™ SH
系列:HEXFET®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:62 mOhm @ 5A, 10V
功率耗散(最大):2.2W (Ta), 42W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:DirectFET™ Isometric SH
其他名稱:SP001576858
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:530pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:11.7nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):10V
漏極至源極電壓(Vdss):100V
詳細說明:N-Channel 100V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SH
電流 - 25°C連續排水(Id):4.2A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

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