IRF6646TR1 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IRF6646TR1, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IRF6646TR1 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IRF6646TR1 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
IRF6646TR1
- Тип продуктов:
- IRF6646TR1
- производитель:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Описание:
- MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
- Бессвинцовый статус:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Количество на складе:
- 29368 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- IRF6646TR1.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 4.9V @ 150µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | DIRECTFET™ MN |
| Серии: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | DirectFET™ Isometric MN |
| Другие названия: | IRF6646TR1CT |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 2 (1 Year) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 2060pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 80V |
| Подробное описание: | N-Channel 80V 12A (Ta), 68A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 12A (Ta), 68A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для IRF6646TR1
Latest Новости
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора
- X-FAB вводит технологию освещения датчика изображения для повышения производительности датчика CMOS
- Землетрясение повлияло на крупную фишковую фабрику: TSMC перестал работать срочно, усугубляя поставку графического процессора в дефиците?
- Nand Flash Memory продолжается, MCU Destocking Bottom - это правильно
- Под выходом AI AIR два основных чип -гиганта «не сильны»: разбивая деньги, чтобы сломать игру, ставки на командные битвы 2025