HGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A
型號:
HGT1S20N60A4S9A
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
33477 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
HGT1S20N60A4S9A.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.7V @ 15V, 20A
測試條件:390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:15ns/73ns
開關能量:105µJ (on), 150µJ (off)
供應商設備封裝:TO-263AB
系列:-
功率 - 最大:290W
封装:Tube
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入類型:Standard
IGBT類型:-
柵極電荷:142nC
詳細說明:IGBT 600V 70A 290W Surface Mount TO-263AB
電流 - 集電極脈衝(ICM):280A
電流 - 集電極(Ic)(最大):70A
Email:[email protected]

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