HGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A
Modello di prodotti:
HGT1S20N60A4S9A
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
33477 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
HGT1S20N60A4S9A.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.7V @ 15V, 20A
Condizione di test:390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:15ns/73ns
di scambio energetico:105µJ (on), 150µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263AB
Serie:-
Potenza - Max:290W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
carica gate:142nC
Descrizione dettagliata:IGBT 600V 70A 290W Surface Mount TO-263AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm):280A
Corrente - collettore (Ic) (max):70A
Email:[email protected]

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