HGT1S20N60A4S9A
HGT1S20N60A4S9A
Modelo do Produto:
HGT1S20N60A4S9A
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
33477 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
HGT1S20N60A4S9A.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):600V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.7V @ 15V, 20A
Condição de teste:390V, 20A, 3 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:15ns/73ns
Alternando Energia:105µJ (on), 150µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263AB
Série:-
Power - Max:290W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:-
portão de carga:142nC
Descrição detalhada:IGBT 600V 70A 290W Surface Mount TO-263AB
Atual - Collector Pulsada (ICM):280A
Atual - Collector (Ic) (Max):70A
Email:[email protected]

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