HGT1S2N120CN
Modelo do Produto:
HGT1S2N120CN
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
20209 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
HGT1S2N120CN.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.4V @ 15V, 2.6A
Condição de teste:960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:25ns/205ns
Alternando Energia:96µJ (on), 355µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-262
Série:-
Power - Max:104W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
portão de carga:30nC
Descrição detalhada:IGBT NPT 1200V 13A 104W Through Hole TO-262
Atual - Collector Pulsada (ICM):20A
Atual - Collector (Ic) (Max):13A
Email:[email protected]

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