EPC8005ENGR
EPC8005ENGR
型號:
EPC8005ENGR
製造商:
EPC
描述:
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
無鉛狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
33366 Pieces
發貨時間:
1-2 days
交貨時間:
4-8 weeks
數據表:
1.EPC8005ENGR.pdf2.EPC8005ENGR.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New & Original, tested
原產地 Contact us
標記代碼 Send by email
電壓 - 測試:29pF @ 32.5V
電壓 - 擊穿:Die
VGS(TH)(最大)@標識:275 mOhm @ 500mA, 5V
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
系列:eGaN®
RoHS狀態:Tray
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:2.9A (Ta)
極化:Die
其他名稱:917-EPC8005ENGR
EPC8005ENGH
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:EPC8005ENGR
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:0.22nC @ 5V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:2.5V @ 250µA
FET特點:N-Channel
展開說明:N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die
漏極至源極電壓(Vdss):-
描述:TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
電流 - 25°C連續排水(Id):65V
電容比:-
Email:[email protected]

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