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EPC8005ENGR
- 제품 모델:
- EPC8005ENGR
- 제조사:
- EPC
- 기술:
- TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 33366 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 테스트: | 29pF @ 32.5V |
| 전압 - 파괴: | Die |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| 과학 기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 연속: | eGaN® |
| RoHS 상태: | Tray |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 2.9A (Ta) |
| 편광: | Die |
| 다른 이름들: | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | EPC8005ENGR |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 0.22nC @ 5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 65V |
| 용량 비율: | - |
| Email: | [email protected] |
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