EPC8009ENGR은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 EPC8009ENGR의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 EPC8009ENGR에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 EPC8009ENGR을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
EPC8009ENGR
- 제품 모델:
- EPC8009ENGR
- 제조사:
- EPC
- 기술:
- TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 54483 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 테스트: | 47pF @ 32.5V |
| 전압 - 파괴: | Die |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| 과학 기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 연속: | eGaN® |
| RoHS 상태: | Tray |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 4.1A (Ta) |
| 편광: | Die |
| 다른 이름들: | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
| 작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 제조업체 부품 번호: | EPC8009ENGR |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 0.38nC @ 5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET 특징: | N-Channel |
| 확장 설명: | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
| 기술: | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 65V |
| 용량 비율: | - |
| Email: | [email protected] |
EPC8009ENGR에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Samsung과 Sk Hynix가 DDR3을 멈추고 프로모션 견적이 20 % 증가했다는 소문이 있습니다.
- Melexis는 MLX90427 : 라인 제어에 새로운 선택, 안전하고 효율적이며 경제적 인 출시
- NXP와 Ansonmei의 재무 보고서가 발표되었으며 구리 가격의 가격은 IC 산업으로 전달됩니다.
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED
- Ansonmei는 산업 및 운송 시장을위한 유도 포지션 센서를 시작했습니다.
- Ruisa는 전력 장치를 늘리기 위해 오래된 공장을 시작하고 지진은 DRAM 출력에 영향을 미칩니다.
- 마이크로 칩은 TSMC의 생산 능력을 가능하게하고 가격 인상