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DMG4N65CT
- 型號:
- DMG4N65CT
- 描述:
- MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
- 無鉛狀態:
- 含鉛/符合RoHS
- 庫存數量:
- 48650 Pieces
- 發貨時間:
- 1-2 days
- 交貨時間:
- 4-8 weeks
- 數據表:
- DMG4N65CT.pdf
簡單介紹
產品特性
| 狀況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原產地 | Contact us |
| 標記代碼 | Send by email |
| VGS（TH）（最大）@標識: | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | ±30V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | TO-220-3 |
| 系列: | - |
| RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| 功率耗散（最大）: | 2.19W (Ta) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-220-3 |
| 其他名稱: | DMG4N65CTDI |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度等級（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
| 無鉛狀態/ RoHS狀態: | Contains lead / RoHS Compliant |
| 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds: | 900pF @ 25V |
| 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs: | 13.5nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）: | 10V |
| 漏極至源極電壓（Vdss）: | 650V |
| 詳細說明: | N-Channel 650V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3 |
| 電流 - 25°C連續排水（Id）: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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