DMG4N65CT
Cikkszám:
DMG4N65CT
Gyártó:
Diodes Incorporated
Leírás:
MOSFET N CH 650V 4A TO220-3
Ólommentes állapot:
Ólom / RoHS megfelel
Készlet mennyiség:
48650 Pieces
Szállítási idő:
1-2 days
Vezetői idő:
4-8 weeks
Adatlap:
DMG4N65CT.pdf

Bevezetés

Az DMG4N65CT most elérhető!Az LYNTEAM technológia az DMG4N65CT állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetDMG4N65CTe-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon DMG4N65CT LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]

Műszaki adatok

Feltétel New & Original, tested
Származási ország Contact us
Jelölési kód Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technológia:MOSFET (Metal Oxide)
Szállító eszközcsomag:TO-220-3
Sorozat:-
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs:3 Ohm @ 2A, 10V
Teljesítményleadás (Max):2.19W (Ta)
Csomagolás:Tube
Csomagolás / tok:TO-220-3
Más nevek:DMG4N65CTDI
Üzemi hőmérséklet:-55°C ~ 150°C (TJ)
Szerelési típus:Through Hole
Nedvességérzékenységi szint (MSL):1 (Unlimited)
A gyártó szabványos leadási ideje:16 Weeks
Ólommentes állapot / RoHS állapot:Contains lead / RoHS Compliant
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 25V
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs:13.5nC @ 10V
FET típus:N-Channel
FET funkció:-
Hajtás feszültség (Max Rds bekapcsolva, Min Rds bekapcsolva):10V
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss):650V
Részletes leírás:N-Channel 650V 4A (Tc) 2.19W (Ta) Through Hole TO-220-3
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

Gyors kérés

Cikkszám
Mennyiség
Vállalat
Email
Telefon
Hozzászólások