IXZ210N50L พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IXZ210N50L เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IXZ210N50L ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXZ210N50L ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IXZ210N50L
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXZ210N50L
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- N-CHANNEL RF MOSFET 175MH
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 20370 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IXZ210N50L.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 50V |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 500V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DE275 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 200W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-SMD Module |
| ชื่ออื่น: | Q2463978 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ได้รับ: | 16dB |
| ความถี่: | 175MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Mosfet N-Channel 50V 175MHz 16dB 200W DE275 |
| พิกัดกระแส: | 10A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXZ210N50L
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | การสอบสวน |
|
IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | การสอบสวน |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | การสอบสวน |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | การสอบสวน |
 |
PTF180101S V1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 | การสอบสวน |
 |
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
NE552R679A-T1A-A | CEL (California Eastern Laboratories) | FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG | การสอบสวน |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | การสอบสวน |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | การสอบสวน |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | การสอบสวน |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | การสอบสวน |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | การสอบสวน |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | การสอบสวน |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
AFT26HW050SR3 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 | การสอบสวน |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง