IXZ210N50L je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IXZ210N50L, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IXZ210N50L e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IXZ210N50L s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IXZ210N50L
- Part Number:
- IXZ210N50L
- Výrobce:
- IXYS Corporation
- Popis:
- N-CHANNEL RF MOSFET 175MH
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 20370 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IXZ210N50L.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 50V |
| Napětí - Jmenovitá: | 500V |
| Transistor Type: | N-Channel |
| Dodavatel zařízení Package: | DE275 |
| Série: | - |
| Power - Výstup: | 200W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | 6-SMD Module |
| Ostatní jména: | Q2463978 |
| hluk Obrázek: | - |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 16dB |
| Frekvence: | 175MHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet N-Channel 50V 175MHz 16dB 200W DE275 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 10A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXZ210N50L
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | Dotaz |
|
IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Dotaz |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | Dotaz |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | Dotaz |
 |
PTF180101S V1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 | Dotaz |
 |
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
NE552R679A-T1A-A | CEL (California Eastern Laboratories) | FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG | Dotaz |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | Dotaz |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | Dotaz |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Dotaz |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Dotaz |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | Dotaz |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Dotaz |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
AFT26HW050SR3 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 | Dotaz |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
Latest News
- Micron's Plán vybudovat továrnu, Nand Flash paměť za vysoké ceny nebo údržbu
- Výkon ADI je snížen, vzrostly substráty měděné fólie, skladování původní výroby továrny Konzervativní
- Vlna inteligence v autě přichází a Aimus Oslang pomohl Sagita Juguang uvolnit MX Lidar
- Výrobní kapacita HBM je vyloučena, paměť DRAM může být v druhé polovině roku nedostatečná
- Zakladatelé zdi skončí, HBM nebo způsobí, že se opět zvýší DRAM
- Poptávka po mobilním telefonu a expanzi PC, globální polovodičové výroby průmyslu
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory