IXZR08N120 je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro IXZR08N120, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro IXZR08N120 e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si IXZR08N120 s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
IXZR08N120
- Part Number:
- IXZR08N120
- Výrobce:
- IXYS RF
- Popis:
- RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 50216 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- IXZR08N120.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Test: | 100V |
| Napětí - Jmenovitá: | 1200V |
| Transistor Type: | N-Channel |
| Dodavatel zařízení Package: | PLUS247™-3 |
| Série: | Z-MOS™ |
| Power - Výstup: | 250W |
| Obal: | Tube |
| Paket / krabice: | TO-247-3 |
| hluk Obrázek: | - |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Výrobní standardní doba výroby: | 14 Weeks |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Získat: | 23dB |
| Frekvence: | 65MHz |
| Detailní popis: | RF Mosfet N-Channel 100V 65MHz 23dB 250W PLUS247™-3 |
| Jmenovitá hodnota proudu: | 8A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro IXZR08N120
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Dotaz |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
MRF24300NR3 | NXP Semiconductors / Freescale | RF POWER LDMOS TRANS 2450MHZ 300 | Dotaz |
 |
2N5555_D74Z | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 15MA TO92 | Dotaz |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | Dotaz |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Dotaz |
|
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | Dotaz |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | Dotaz |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | Dotaz |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | Dotaz |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | Dotaz |
 |
IXZ210N50L | IXYS Corporation | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | Dotaz |
 |
PTAC210802FC-V1-R0 | Cree Wolfspeed | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Dotaz |
|
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | Dotaz |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | Dotaz |
|
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | Dotaz |
Latest News
- Pochopte potřeby systémů monitorování ADAS a kabiny pro obrazové senzory zabezpečení sítě
- Říká se, že Samsung a SK Hynix zastavili DDR3 a propagační nabídka vzrostla o 20 %
- Melexis vydala MLX90427: Ovládání linky k novému výběru, bezpečné, efektivní a ekonomické
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný