IXZ210N50L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXZ210N50L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXZ210N50L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXZ210N50L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXZ210N50L
- رقم القطعة:
- IXZ210N50L
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- N-CHANNEL RF MOSFET 175MH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20370 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXZ210N50L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 50V |
| الجهد - تقييمه: | 500V |
| نوع الترانزستور: | N-Channel |
| تجار الأجهزة حزمة: | DE275 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | 200W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 6-SMD Module |
| اسماء اخرى: | Q2463978 |
| الضوضاء الشكل: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ربح: | 16dB |
| تردد: | 175MHz |
| وصف تفصيلي: | RF Mosfet N-Channel 50V 175MHz 16dB 200W DE275 |
| التصويت الحالي: | 10A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXZ210N50L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
|
IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | تحقيق |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | تحقيق |
 |
PTF180101S V1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2 | تحقيق |
 |
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
NE552R679A-T1A-A | CEL (California Eastern Laboratories) | FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG | تحقيق |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | تحقيق |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | تحقيق |
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | تحقيق |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | تحقيق |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | تحقيق |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
 |
AFT26HW050SR3 | NXP Semiconductors / Freescale | FET RF 2CH 65V 2.69GHZ NI780-4S4 | تحقيق |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة