IXZH10N50L2B พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IXZH10N50L2B เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IXZH10N50L2B ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXZH10N50L2B ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IXZH10N50L2B
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXZH10N50L2B
- ผู้ผลิต:
- IXYS RF
- ลักษณะ:
- RF MOSFET N-CHANNEL TO-247
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 27363 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IXZH10N50L2B.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 100V |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 500V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247 (IXFH) |
| ชุด: | Z-MOS™ |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 200W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ได้รับ: | 17dB |
| ความถี่: | 70MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Mosfet N-Channel 100V 70MHz 17dB 200W TO-247 (IXFH) |
| พิกัดกระแส: | 10A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXZH10N50L2B
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZ308N120 | IXYS | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | การสอบสวน |
|
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | การสอบสวน |
 |
IXZ210N50L | IXYS Corporation | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | การสอบสวน |
 |
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
PD85035TR-E | STMicroelectronics | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | การสอบสวน |
|
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | การสอบสวน |
 |
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | การสอบสวน |
 |
BLM7G1822S-40ABY | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112 | การสอบสวน |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | การสอบสวน |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | การสอบสวน |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | การสอบสวน |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | การสอบสวน |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | การสอบสวน |
 |
CGHV60040D-GP4 | Cree Wolfspeed | RF MOSFET HEMT 50V DIE | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU