IXZ308N120 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IXZ308N120 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IXZ308N120 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXZ308N120 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IXZ308N120
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXZ308N120
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- RF MOSFET N-CHANNEL DE375
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53697 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IXZ308N120.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 1200V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | - |
| ชุด: | Z-MOS™ |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| โพลาไรซ์: | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXZ308N120 |
| ความถี่: | - |
| ประเภท FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | RF Mosfet N-Channel |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | - |
| ลักษณะ: | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 |
| พิกัดกระแส: | 1mA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | N-Channel |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXZ308N120
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXZH10N50L2B | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | การสอบสวน |
 |
IXZ-2510 | InvenSense | MEMS GYROSCOPE 2-AXIS 16QFN | การสอบสวน |
 |
IXZR16N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
IXZ2210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET 2 N-CHANNEL DE275 | การสอบสวน |
|
IXZR08N120 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZR18N50A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
STAC1011-350 | STMicroelectronics | FET RF 80V 1.09GHZ STAC265B | การสอบสวน |
 |
IXZ316N60 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE375 | การสอบสวน |
|
IXZR18N50B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
IXZ210N50L | IXYS Corporation | N-CHANNEL RF MOSFET 175MH | การสอบสวน |
 |
BLF879P,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A | การสอบสวน |
|
IXZR08N120B-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
BLC8G27LS-160AVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 14.3DB SOT12751 | การสอบสวน |
 |
IXZ631DF18N50 | IXYS RF | 500V 18A INTEGRATED POWER MOSFET | การสอบสวน |
|
IXZR18N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
 |
IXZ631DF12N100 | IXYS RF | IXZ631DF12N100 1000V 12A INTEGRA | การสอบสวน |
|
IXZ318N50 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL | การสอบสวน |
|
IXZ210N50L2 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL DE275 | การสอบสวน |
|
IXZR08N120A-00 | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3 | การสอบสวน |
|
IXZH10N50L2A | IXYS RF | RF MOSFET N-CHANNEL TO-247 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง