APTD3216P3C-P22 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTD3216P3C-P22 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTD3216P3C-P22 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTD3216P3C-P22 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APTD3216P3C-P22
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APTD3216P3C-P22
- ผู้ผลิต:
- Kingbright
- ลักษณะ:
- 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE
- สถานะตะกั่วฟรี:
- เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34688 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APTD3216P3C-P22.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความยาวคลื่น: | 940nm |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 30V |
| มุมมอง: | 40° |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | RoHS Compliant |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 100mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 1206 (3216 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 754-2217-2 |
| ปฐมนิเทศ: | Top View |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 9 Weeks |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Phototransistor 940nm Top View 1206 (3216 Metric) |
| ปัจจุบัน - เข้ม (ID) (สูงสุด): | 100nA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTD3216P3C-P22
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDC10H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45RCT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | การสอบสวน |
 |
APTDC40H601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | การสอบสวน |
|
APTCV60TLM70T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTDC20H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | การสอบสวน |
|
APTDC20H1201G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | การสอบสวน |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
 |
APTCV90TL12T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTCV60HM70RT3G | Microsemi | POWER MOD FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
 |
APTCV60TLM99T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 | การสอบสวน |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | การสอบสวน |
|
APTCV60TLM24T3G | Microsemi | POWER MODULE - COOLMOS | การสอบสวน |
|
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
 |
APTCV60TLM45T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT3 SP3 | การสอบสวน |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTCV60HM70BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTDC902U601G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร