Το APTD3216P3C-P22 είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTD3216P3C-P22, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTD3216P3C-P22 μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTD3216P3C-P22 με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTD3216P3C-P22
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTD3216P3C-P22
- Κατασκευαστής:
- Kingbright
- Περιγραφή:
- 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- RoHS συμμορφώνεται
- Ποσότητα αποθέματος:
- 34688 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- APTD3216P3C-P22.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| μήκος κύματος: | 940nm |
| Τάσης - συλλέκτη εκπομπού Ανάλυση (Max): | 30V |
| Οπτική γωνία: | 40° |
| Σειρά: | - |
| Κατάσταση RoHS: | RoHS Compliant |
| Ισχύς - Max: | 100mW |
| Συσκευασία: | Tape & Reel (TR) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 1206 (3216 Metric) |
| Αλλα ονόματα: | 754-2217-2 |
| Προσανατολισμός: | Top View |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 9 Weeks |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Phototransistor 940nm Top View 1206 (3216 Metric) |
| Τρέχουσες - Σκούρο (Id) (Max): | 100nA |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTD3216P3C-P22
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDC10H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | Έρευνα |
 |
APTCV60HM45RCT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | Έρευνα |
 |
APTDC40H601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | Έρευνα |
|
APTCV60TLM70T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
 |
APTCV60HM45RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTDC20H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | Έρευνα |
|
APTDC20H1201G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | Έρευνα |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
 |
APTCV90TL12T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 | Έρευνα |
 |
APTCV60HM45BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTCV60HM70RT3G | Microsemi | POWER MOD FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
 |
APTCV60TLM99T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 | Έρευνα |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Έρευνα |
|
APTCV60TLM24T3G | Microsemi | POWER MODULE - COOLMOS | Έρευνα |
|
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
 |
APTCV60TLM45T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT3 SP3 | Έρευνα |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
|
APTCV60HM70BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Έρευνα |
|
APTDC902U601G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η οικονομική έκθεση NXP και Ansonmei ανακοίνωσε και η τιμή των τιμών του χαλκού μεταδίδεται στη βιομηχανία IC
- Η Moels Micro Electronics έχει δημιουργήσει νέα γραφεία στην Ταϊβάν της Κίνας για την επέκταση της επιχειρηματικής επικράτειας
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Η χρηματοοικονομική έκθεση του πρώτου τριμήνου του SEF Semiconductor (ST) μειώνεται και η ζήτηση για αυτοκίνητα έχει επιβραδυνθεί
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα