Το APTDC40H601G είναι διαθέσιμο τώρα!Η τεχνολογία LYNTEAM είναι ο διανομέας αποθέματος για την APTDC40H601G, έχουμε τα αποθέματα για άμεση αποστολή και επίσης διαθέσιμο για μεγάλο χρονικό διάστημα.Στείλτε μας το σχέδιο αγοράς σας για το APTDC40H601G μέσω ηλεκτρονικού ταχυδρομείου, θα σας δώσουμε μια καλύτερη τιμή σύμφωνα με το σχέδιό σας.
Αγοράστε APTDC40H601G με LYNTEAM, αποθηκεύστε τα χρήματά σας και το χρόνο σας.
Το email μας: [email protected]
APTDC40H601G
- Αριθμός εξαρτήματος:
- APTDC40H601G
- Κατασκευαστής:
- Microsemi
- Περιγραφή:
- POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1
- Επικεφαλής ελεύθερη κατάσταση:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα αποθέματος:
- 35522 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days
- Χρόνος παράδοσης:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- 1.APTDC40H601G.pdf2.APTDC40H601G.pdf
Εισαγωγή
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Κατάσταση | New & Original, tested |
|---|---|
| Χώρα προέλευσης | Contact us |
| Κώδικας σήμανσης | Send by email |
| Τάσης - Peak Reverse (Max): | 600V |
| Τάσης - Forward (Vf) (Max) @ Αν: | 1.8V @ 40A |
| Τεχνολογία: | Silicon Carbide Schottky |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SP1 |
| Σειρά: | - |
| Συσκευασία: | Bulk |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SP1 |
| Αλλα ονόματα: | APTDC40H601GMI APTDC40H601GMI-ND |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Τύπος: | Single Phase |
| Λεπτομερής περιγραφή: | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 600V Chassis Mount SP1 |
| Τρέχουσες - Αντίστροφη Διαρροή @ Vr: | 800µA @ 600V |
| Τρέχουσες - Μέσο ανορθωμένο (Io): | 40A |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για APTDC40H601G
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDC902U601G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | Έρευνα |
|
APTDC20H1201G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | Έρευνα |
|
APTDF200H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Έρευνα |
|
APTCV60TLM24T3G | Microsemi | POWER MODULE - COOLMOS | Έρευνα |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
|
APTDC20H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | Έρευνα |
|
APTDF100H601G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Έρευνα |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Έρευνα |
|
APTCV60TLM70T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Έρευνα |
 |
APTCV60TLM45T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT3 SP3 | Έρευνα |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
|
APTDF100H60G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
 |
APTCV90TL12T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 | Έρευνα |
|
APTDC10H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | Έρευνα |
|
APTDF100H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | Έρευνα |
 |
APTCV60TLM99T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 | Έρευνα |
|
APTDF200H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | Έρευνα |
 |
APTD3216P3C-P22 | Kingbright | 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE | Έρευνα |
|
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η απόδοση του Texas Instruments πρέπει ακόμα να ενισχυθεί και τα δύο εργοστάσια αποθήκευσης ωθούν νέα προϊόντα μνήμης flash
- Τοπικός ώριμος όγκος τσιπ, Samsung NAND Flash Memory παραγωγική παραγωγική ικανότητα κοντά στο φορτίο
- Ο Vishay ξεκινά τη Miniled Packaging High Brightness Small Blue και Pure Green LED
- Η Ansonmei ξεκίνησε έναν επαγωγικό αισθητήρα θέσης για την αγορά βιομηχανικής και μεταφοράς
- Η Ruisa ξεκινά το παλιό εργοστάσιο για να αυξήσει τη συσκευή ισχύος, ο σεισμός επηρεάζει την παραγωγή DRAM ήπιο
- Το microchip επιτρέπει την παραγωγική ικανότητα του TSMC και αυξάνει τις αυξήσεις των τιμών
- Η Ruisa ξεκίνησε το νέο RA0 Series Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Η Melexis εγκαινιάζει ένα πλήρες τσιπ διακόπτη επαγωγέα
- Το X-FAB εισάγει τεχνολογία φωτισμού αισθητήρα εικόνας για την ενίσχυση της απόδοσης του αισθητήρα CMOS
- Το μεγάλο εργοστάσιο τσιπ επηρεάστηκε από τον σεισμό: η TSMC σταμάτησε να λειτουργεί επειγόντως, επιδεινώνοντας την παροχή GPU σε σύντομο χρονικό διάστημα;
- Η μνήμη Flash Nand συνεχίζεται, το MCU Destocking Bottom είναι σωστό
- Κάτω από την έξοδο AI Air, οι δύο μεγάλοι γίγαντες τσιπ είναι "όχι ισχυρο