ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > APTCV90TL12T3G
APTCV90TL12T3G
APTCV90TL12T3G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APTCV90TL12T3G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
47943 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
1.APTCV90TL12T3G.pdf2.APTCV90TL12T3G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APTCV90TL12T3G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTCV90TL12T3G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTCV90TL12T3G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTCV90TL12T3G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.2V @ 15V, 50A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SP3
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:280W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SP3
ชื่ออื่น:APTCV90TL12T3GMI
APTCV90TL12T3GMI-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 175°C (TJ)
กทช Thermistor:Yes
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:2.77nF @ 25V
อินพุต:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):1mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):80A
องค์ประกอบ:Three Level Inverter - IGBT, FET
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTCV90TL12T3G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APTCV60TLM45T3G Image APTCV60TLM45T3G Microsemi POWER MODULE IGBT3 SP3 การสอบสวน
APTDC10H601G Microsemi RECT BRIDGE 10A 600V SP1 การสอบสวน
APTCV60TLM70T3G Microsemi POWER MODULE - IGBT การสอบสวน
APTCV60TLM99T3G Image APTCV60TLM99T3G Microsemi POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 การสอบสวน
APTDC40H1201G Image APTDC40H1201G Microsemi POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 การสอบสวน
APTCV60TLM24T3G Microsemi POWER MODULE - COOLMOS การสอบสวน
APTCV60HM45RCT3G Image APTCV60HM45RCT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTDF100H120G Microsemi DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 การสอบสวน
APTDC20H1201G Microsemi RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 การสอบสวน
APTDF100H100G Microsemi DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 การสอบสวน
APTDC40H601G Image APTDC40H601G Microsemi POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 การสอบสวน
APTD3216P3C-P22 Image APTD3216P3C-P22 Kingbright 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE การสอบสวน
APTCV60HM45BT3G Image APTCV60HM45BT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV60HM45BC20T3G Image APTCV60HM45BC20T3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTDF100H1201G Microsemi DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 การสอบสวน
APTCV60HM70BT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTDC902U601G Microsemi DIODE MODULE 600V 90A SP1 การสอบสวน
APTCV60HM70RT3G Microsemi POWER MOD FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV60HM45RT3G Image APTCV60HM45RT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTDC20H601G Microsemi RECT BRIDGE 20A 600V SP1 การสอบสวน

ข่าว Latest