APTDC10H601G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTDC10H601G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTDC10H601G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTDC10H601G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APTDC10H601G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APTDC10H601G
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- RECT BRIDGE 10A 600V SP1
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 42887 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APTDC10H601G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | 600V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.8V @ 10A |
| เทคโนโลยี: | Silicon Carbide Schottky |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SP1 |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SP1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Single Phase |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 600V Chassis Mount SP1 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200µA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 10A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTDC10H601G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APTCV60HM70RT3G | Microsemi | POWER MOD FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTCV60HM70BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
 |
APTCV60TLM45T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT3 SP3 | การสอบสวน |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTDF100H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
 |
APTDC40H601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | การสอบสวน |
|
APTCV60TLM24T3G | Microsemi | POWER MODULE - COOLMOS | การสอบสวน |
|
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTDC902U601G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | การสอบสวน |
|
APTDC20H1201G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | การสอบสวน |
 |
APTCV90TL12T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45RCT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
 |
APTD3216P3C-P22 | Kingbright | 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE | การสอบสวน |
|
APTDC20H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | การสอบสวน |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | การสอบสวน |
|
APTCV60TLM70T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | การสอบสวน |
 |
APTCV60TLM99T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร