APTDC10H601G je nyní k dispozici!Technologie LYNTEAM je distributorem skladování pro APTDC10H601G, máme akcie pro okamžitou dopravu a také k dispozici pro dlouhodobé dodávky.Prosím, pošlete nám svůj kupní plán pro APTDC10H601G e-mailem, dáme vám nejlepší cenu podle vašeho plánu.
Kupte si APTDC10H601G s LYNTEAM, uložte své peníze a čas.
Náš email: [email protected]
APTDC10H601G
- Part Number:
- APTDC10H601G
- Výrobce:
- Microsemi
- Popis:
- RECT BRIDGE 10A 600V SP1
- Vedoucí volný stav:
- Bez olova / V souladu RoHS
- Množství zásob:
- 42887 Pieces
- Čas doručení:
- 1-2 days
- Dodací lhůta:
- 4-8 weeks
- Datový list:
- APTDC10H601G.pdf
Úvod
Specifikace
| Stav | New & Original, tested |
|---|---|
| Země původu | Contact us |
| Označovací kód | Send by email |
| Napětí - Peak Reverse (Max): | 600V |
| Napětí - Forward (VF) (Max) @-li: | 1.8V @ 10A |
| Technika: | Silicon Carbide Schottky |
| Dodavatel zařízení Package: | SP1 |
| Série: | - |
| Obal: | Bulk |
| Paket / krabice: | SP1 |
| Provozní teplota: | - |
| Typ montáže: | Chassis Mount |
| Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stav volného vedení / RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type: | Single Phase |
| Detailní popis: | Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 600V Chassis Mount SP1 |
| Proud - zpìtný únikový @ Vr: | 200µA @ 600V |
| Proud - Průměrná Rektifikova (Io): | 10A |
| Email: | [email protected] |
Související díly pro APTDC10H601G
| Obraz | Part Number | Výrobci | Popis | Pohled |
|---|---|---|---|---|
 |
APTCV60HM70RT3G | Microsemi | POWER MOD FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTCV60HM70BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
 |
APTCV60TLM45T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT3 SP3 | Dotaz |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dotaz |
|
APTDF100H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dotaz |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dotaz |
 |
APTDC40H601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | Dotaz |
|
APTCV60TLM24T3G | Microsemi | POWER MODULE - COOLMOS | Dotaz |
|
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | Dotaz |
|
APTDC902U601G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | Dotaz |
|
APTDC20H1201G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | Dotaz |
 |
APTCV90TL12T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 | Dotaz |
 |
APTCV60HM45RCT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
 |
APTD3216P3C-P22 | Kingbright | 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE | Dotaz |
|
APTDC20H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | Dotaz |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | Dotaz |
|
APTCV60TLM70T3G | Microsemi | POWER MODULE - IGBT | Dotaz |
 |
APTCV60HM45RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | Dotaz |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | Dotaz |
 |
APTCV60TLM99T3G | Microsemi | POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 | Dotaz |
Latest News
- Finanční zpráva NXP a ANSONMEI byla oznámena a cena cen mědi je přenášena do průmyslu IC
- Moels Micro Electronics zřídila nové kanceláře na Tchaj -wanu v Číně, aby rozšířila obchodní území
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Finanční zpráva prvního čtvrtletí SEF Semiconductor (ST) se snižuje a poptávka po automobilech se zpomalila
- Výkon texaských nástrojů je třeba ještě posílit a dvě úložné továrny tlačí nové produkty Flash Memory
- Místní zralý objem čipu, Samsung Nand Flash Memory Production Capaciption blízko zatížení
- Vishay uvádí na trh Miniled Balení s vysokým jasem Malá modrá a čistě zelená LED
- Ansonmei spustila induktivní snímač pozice pro trh průmyslového a dopravy
- Ruisa zahajuje starou továrnu, aby zvýšila napájecí zařízení, zemětřesení ovlivňuje výstup DRAM mírný
- Mikročip umožňuje výrobní kapacitu TSMC a zvyšuje zvyšování cen
- Ruisa spustila novou řadu RA0 série Ultra -Low Power Entry -level MCU
- Melexis spustí plně integrovaný čip přepínače