ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล > APTCV60HM45BT3G
APTCV60HM45BT3G
APTCV60HM45BT3G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APTCV60HM45BT3G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
44880 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APTCV60HM45BT3G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APTCV60HM45BT3G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTCV60HM45BT3G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTCV60HM45BT3G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTCV60HM45BT3G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:1.9V @ 15V, 50A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SP3
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:250W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SP3
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:Yes
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:32 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:3.15nF @ 25V
อินพุต:Standard
ประเภท IGBT:Trench Field Stop
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):250µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):50A
องค์ประกอบ:Boost Chopper, Full Bridge
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTCV60HM45BT3G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APTC90HM60T3G Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 การสอบสวน
APTC90H12T2G Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 การสอบสวน
APTCV40H60CT1G Microsemi IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 การสอบสวน
APTCV60HM45RT3G Image APTCV60HM45RT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV90TL12T3G Image APTCV90TL12T3G Microsemi POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3 การสอบสวน
APTC90H12SCTG Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 การสอบสวน
APTC90TAM60TPG Microsemi MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P การสอบสวน
APTCV60HM70BT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV60HM70RT3G Microsemi POWER MOD FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV60TLM24T3G Microsemi POWER MODULE - COOLMOS การสอบสวน
APTC90SKM60CT1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 การสอบสวน
APTCV60TLM45T3G Image APTCV60TLM45T3G Microsemi POWER MODULE IGBT3 SP3 การสอบสวน
APTCV60TLM99T3G Image APTCV60TLM99T3G Microsemi POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3 การสอบสวน
APTC90SKM60T1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 การสอบสวน
APTCV60TLM70T3G Microsemi POWER MODULE - IGBT การสอบสวน
APTC90H12T1G Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 การสอบสวน
APTCV60HM45BC20T3G Image APTCV60HM45BC20T3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTD3216P3C-P22 Image APTD3216P3C-P22 Kingbright 3.2X1.6MM PHOTOTRANSISTOR SMD LE การสอบสวน
APTCV60HM45RCT3G Image APTCV60HM45RCT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV50H60T3G Microsemi IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน

ข่าว Latest