APTC90HM60T3G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTC90HM60T3G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTC90HM60T3G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTC90HM60T3G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APTC90HM60T3G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APTC90HM60T3G
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 25129 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APTC90HM60T3G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 6mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SP3 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 462W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SP3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 13600pF @ 100V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 540nC @ 10V |
| ประเภท FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| คุณสมบัติ FET: | Super Junction |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 900V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 59A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTC90HM60T3G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APTCV60HM45RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
 |
APTC90SKM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | การสอบสวน |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | การสอบสวน |
|
APTCV40H60CT1G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 | การสอบสวน |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | การสอบสวน |
|
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | การสอบสวน |
|
APTC90SKM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | การสอบสวน |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | การสอบสวน |
|
APTC90TAM60TPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45RCT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTC90H12SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | การสอบสวน |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | การสอบสวน |
|
APTC90H12T2G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | การสอบสวน |
|
APTCV60HM70BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | การสอบสวน |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | การสอบสวน |
 |
APTCV60HM45BC20T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | การสอบสวน |
|
APTCV50H60T3G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร