ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > APTC90SKM60CT1G
APTC90SKM60CT1G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APTC90SKM60CT1G
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
48069 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APTC90SKM60CT1G.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APTC90SKM60CT1G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTC90SKM60CT1G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTC90SKM60CT1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTC90SKM60CT1G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 6mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SP1
ชุด:CoolMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 52A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):462W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SP1
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:13600pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:540nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:Super Junction
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):900V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 900V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:59A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTC90SKM60CT1G

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APTC90SKM60T1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 การสอบสวน
APTCV60HM45BT3G Image APTCV60HM45BT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTC90DAM60T1G Image APTC90DAM60T1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 การสอบสวน
APTC90HM60T3G Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 การสอบสวน
APTC90DDA12T1G Microsemi MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 การสอบสวน
APTCV60HM70RT3G Microsemi POWER MOD FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTC90AM60SCTG Microsemi MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 การสอบสวน
APTCV60HM70BT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTC90H12T1G Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 การสอบสวน
APTC90AM60T1G Microsemi MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 การสอบสวน
APTCV60HM45RCT3G Image APTCV60HM45RCT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV60HM45RT3G Image APTCV60HM45RT3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTC90H12SCTG Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 การสอบสวน
APTC90TAM60TPG Microsemi MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P การสอบสวน
APTCV60HM45BC20T3G Image APTCV60HM45BC20T3G Microsemi POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTCV50H60T3G Microsemi IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 การสอบสวน
APTC90DAM60CT1G Microsemi MOSFET N-CH 900V 59A SP1 การสอบสวน
APTC90H12T2G Microsemi MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 การสอบสวน
APTCV40H60CT1G Microsemi IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 การสอบสวน
APTC90DSK12T1G Microsemi MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 การสอบสวน

ข่าว Latest