APTC90AM60T1G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTC90AM60T1G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTC90AM60T1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTC90AM60T1G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APTC90AM60T1G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APTC90AM60T1G
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 38252 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APTC90AM60T1G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 6mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SP1 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 462W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SP1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 13600pF @ 100V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 540nC @ 10V |
| ประเภท FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| คุณสมบัติ FET: | Super Junction |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 900V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP1 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 59A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTC90AM60T1G
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร