APTC90HM60T3G متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل APTC90HM60T3G، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل APTC90HM60T3G عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء APTC90HM60T3G مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
APTC90HM60T3G
- رقم القطعة:
- APTC90HM60T3G
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25129 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- APTC90HM60T3G.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 6mA |
| تجار الأجهزة حزمة: | SP3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 462W |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | SP3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 13600pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 540nC @ 10V |
| نوع FET: | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET الميزة: | Super Junction |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 900V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 900V 59A 462W Chassis Mount SP3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 59A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لAPTC90HM60T3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
APTCV60HM45RT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
 |
APTC90SKM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | تحقيق |
|
APTCV40H60CT1G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1 | تحقيق |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | تحقيق |
|
APTC90H12T1G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | تحقيق |
|
APTC90SKM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
|
APTC90TAM60TPG | Microsemi | MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P | تحقيق |
 |
APTCV60HM45RCT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTC90H12SCTG | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | تحقيق |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
|
APTC90H12T2G | Microsemi | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | تحقيق |
|
APTCV60HM70BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
 |
APTCV60HM45BT3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTC90AM602G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | تحقيق |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | تحقيق |
 |
APTCV60HM45BC20T3G | Microsemi | POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | تحقيق |
|
APTCV50H60T3G | Microsemi | IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي