SSM6J507NU,LF está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para SSM6J507NU,LF, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para SSM6J507NU,LF por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre SSM6J507NU,LF com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
SSM6J507NU,LF
- Modelo do Produto:
- SSM6J507NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 44117 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SSM6J507NU,LF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +20V, -25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-UDFNB (2x2) |
| Série: | U-MOSVI |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.25W (Ta) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | SSM6J507NULFDKR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1150pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 30V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SSM6J507NU,LF
Latest Notícias
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços
- Ruisa lançou a nova série RA0 Ultra -Low Power Entry -Lvel MCU
- Melexis lança um chip de comutação indutor integrado completo
- O X-FAB apresenta a tecnologia de iluminação do sensor de imagem para aprimorar o desempenho do sensor CMOS
- A grande fábrica de chips foi afetada pelo terremoto: o TSMC parou de funcionar com urgência, exacerbando o suprimento de GPU em falta?
- Nand Flash Memory continua, McU Destocking Bottom está certo
- Sob a saída da IA Air, os dois principais gigantes do Chip são "não fortes": esmagar o dinheiro para quebrar o jogo, apostar em 2025 batalhas de equipe