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SSM6J507NU,LF
- Modello di prodotti:
- SSM6J507NU,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 44117 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SSM6J507NU,LF.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +20V, -25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.25W (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | SSM6J507NULFDKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1150pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 30V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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