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SSM6J507NU,LF
- Modèle de produit:
- SSM6J507NU,LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 44117 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SSM6J507NU,LF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | +20V, -25V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 6-UDFNB (2x2) |
| Séries: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.25W (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Autres noms: | SSM6J507NULFDKR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1150pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.4nC @ 4.5V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | P-Channel 30V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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