SSM6J51TUTE85LF
SSM6J51TUTE85LF
Modelo do Produto:
SSM6J51TUTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 4A UF6
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
57325 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.SSM6J51TUTE85LF.pdf2.SSM6J51TUTE85LF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:UF6
Série:U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:54 mOhm @ 2A, 2.5V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-SMD, Flat Leads
Outros nomes:SSM6J51TU(TE85LF)DKR
SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND
SSM6J51TUTE85LFDKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 2.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição detalhada:P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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