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SSM6J216FE,LF
- Modelo do Produto:
- SSM6J216FE,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição:
- MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 40549 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SSM6J216FE,LF.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | ES6 |
| Série: | U-MOSVI |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 32 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Dissipação de energia (Max): | 700mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | SSM6J216FE,LF(A SSM6J216FELF SSM6J216FELF(A SSM6J216FELF-ND SSM6J216FELFTR |
| Temperatura de operação: | 150°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1040pF @ 12V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.7nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 1.5V, 4.5V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 12V |
| Descrição detalhada: | P-Channel 12V 4.8A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount ES6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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