SG2013J-883B
SG2013J-883B
Modelo do Produto:
SG2013J-883B
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
25011 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SG2013J-883B.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.9V @ 600µA, 500mA
Tipo transistor:7 NPN Darlington
Embalagem do dispositivo fornecedor:16-CDIP
Série:-
Power - Max:-
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:-
Outros nomes:1259-1108
1259-1108-MIL
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:900 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):-
Atual - Collector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

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