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SG2013J-883B
SG2013J-883B
Artikelnummer:
SG2013J-883B
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Lead Free Status:
Enthält Blei / RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
25011 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
SG2013J-883B.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic:1.9V @ 600µA, 500mA
Transistor-Typ:7 NPN Darlington
Supplier Device-Gehäuse:16-CDIP
Serie:-
Leistung - max:-
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:-
Andere Namen:1259-1108
1259-1108-MIL
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:900 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max):-
Strom - Kollektor (Ic) (max):600mA
Email:[email protected]

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Image Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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